MOS管米勒效應會延長開關(guān)頻率，增加功耗，降低穩(wěn)定性，形成米勒平臺。雖無法完全消除，但可通過減少柵極電阻或增加并聯(lián)電容來減小米勒效應的影響，同時也可利用米勒效應實現(xiàn)電路緩啟動。
在一些高頻開關(guān)電路中，MOS管的米勒效應有著延長開關(guān)頻率，增加功耗，降低系統(tǒng)穩(wěn)定性的讓人討厭的缺點。如下圖，t2-t3之間存在一個平坦的小臺階，藍色直線部分就是“米勒平臺”。
MOS管的導通情況（米勒效應）：
當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時Id已經(jīng)達到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降下來，開通結(jié)束。
米勒效應：由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vgs的下降，這樣就會使損耗的時間加長,從而增加了損耗。
下圖左為MOS管的電路符號圖，右邊為MOS管的等效模型。
圖示米勒電容
Cgs：GS寄生電容
Cgd：GD寄生電容
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd
輸出電容Coss=Cgd+Cds
反向傳輸電容Crss=Cgd
米勒效應是指：其輸入輸出之間的分布電容Cgs在反相放大的作用下，等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平臺。
米勒效應的缺點：
開頭的圖一我們就能知道，在電感負載下，MOS管的開關(guān)過程由于米勒效應明顯變長了，MOS管D極和S極重疊的時間越長，導通損耗就會越大。
而米勒電容因為MOS管的制造工藝，是必定會存在的，因此它無法做到完全消除。
但是我們可以通過減少柵極電阻Rg來減小米勒效應的影響。
可以看出，R1越小，gs充電越快，MOS管的開啟越快。
然而，米勒效應當真一無是處嗎？
我們知道任何事物都有兩面性，米勒效應的存在必然如此。
我們可以利用米勒效應來實現(xiàn)電路緩啟動的目的。
可以通過增加MOS管的柵極電阻，在MOS管的G-D極之間并聯(lián)大型的電容，進行人為拉長米勒的臺階。
下圖這個電路，便是增加了柵極電阻和G-D極之間的并聯(lián)電容，增大了米勒臺階，讓輸出 的波形變成了一個三角脈沖的形式。
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