1、P-MOS 管和 N-MOS管組成的推挽電路
推挽電路是由兩個(gè)三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱(chēng)的開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小、效率高、既提高電路的負(fù)載能力，又提高開(kāi)關(guān)速度。
芯片的GPIO具有了“推挽輸出”和“開(kāi)漏輸出”兩種模式，現(xiàn)在來(lái)分析下推挽輸出原理。
推挽電路
2、工作原理
VOUT為GPIO口的輸出，當(dāng)VIN為高電平時(shí)，上邊的PMOS管截止，NMOS管導(dǎo)通，對(duì)外VOUT輸出低電平
當(dāng)VIN為低電平時(shí)，上邊的PMOS管導(dǎo)通，NMOS管截止，對(duì)外VOUT輸出高電平
兩個(gè)MOS管只有一個(gè)導(dǎo)通，當(dāng)引腳高低電平切換時(shí)，兩個(gè)管子輪流導(dǎo)通，P 管負(fù)責(zé)灌電流，N 管負(fù)責(zé)拉電流，使其負(fù)載能力和開(kāi)關(guān)速度都比普通的方式有很大的提高。
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